BC857SE6327

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BC857SE6327概述

集成电路

Bipolar BJT Transistor


得捷:
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363


BC857SE6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC857SE6327
型号: BC857SE6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:集成电路
替代型号BC857SE6327
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

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