BCV61BE6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCV61BE6327概述

SOT-143 NPN 30V 0.1A

Transistor Current Mirror 2 NPN, Base Collector Junction 30V 100mA Surface Mount PG-SOT-143-3D

得捷:
TRANSISTORS FOR CURRENT MIRROR

TME:
Transistor: NPN x2; bipolar; 30V; 100mA; 300mW; SOT143

BCV61BE6327中文资料参数规格

技术参数

频率 250 MHz

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-143

外形尺寸

封装 SOT-143

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BCV61BE6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOT-143 NPN 30V 0.1A