BC857BWE6327参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

BC857BWE6327图片1

BC857BWE6327概述

SOT-323 PNP 45V 0.1A

Bipolar BJT Transistor

得捷:
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR

Win Source:
TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323

BC857BWE6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 70.0 V

额定电流 70.0 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC857BWE6327

型号： BC857BWE6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOT-323 PNP 45V 0.1A

替代型号BC857BWE6327

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BC857BWE6327 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
BC857BE6327 英飞凌	类似代替	BC857BWE6327和BC857BE6327的区别
BC857BL3 英飞凌	类似代替	BC857BWE6327和BC857BL3的区别
BC857BW,115 恩智浦	功能相似	BC857BWE6327和BC857BW,115的区别