BC848BE6327

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BC848BE6327概述

NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors

Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23


得捷:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23


安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SOT23


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BC848BE6327中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

极性 NPN

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BC848BE6327
型号: BC848BE6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors

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