BC847PNE6327

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BC847PNE6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 250

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC847PNE6327
型号: BC847PNE6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:NPN / PNP硅AF晶体管阵列 NPN/PNP Silicon AF Transistor Arrays

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