BCP51-16E6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCP51-16E6327概述

SOT-223 PNP 45V 1A

Bipolar BJT Transistor

得捷:
TRANS PNP 45V 1A SOT223

艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 1A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

BCP51-16E6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

宽度 3.5 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCP51-16E6327

型号： BCP51-16E6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOT-223 PNP 45V 1A

替代型号BCP51-16E6327