BC846AE6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC846AE6327概述

NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors

Bipolar BJT Transistor

得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23

艾睿:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23

BC846AE6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 65.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BC846AE6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors