BC856BE6327

BC856BE6327图片1
BC856BE6327概述

SOT-23 PNP 65V 0.1A

Bipolar BJT Transistor


得捷:
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR


艾睿:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BC856BE6327中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC856BE6327
型号: BC856BE6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:SOT-23 PNP 65V 0.1A
替代型号BC856BE6327
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC856BE6327

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BC856B,235

恩智浦

类似代替

BC856BE6327和BC856B,235的区别

BC856BLT1G

安森美

功能相似

BC856BE6327和BC856BLT1G的区别

BC856B-7-F

美台

功能相似

BC856BE6327和BC856B-7-F的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台