BCM846SH6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCM846SH6327概述

NPN硅AF晶体管阵列 NPN Silicon AF Transistor Array

Bipolar BJT Transistor

得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

TME:
Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 100mA; 250mW; SOT363

BCM846SH6327中文资料参数规格

技术参数

频率 250 MHz

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买BCM846SH6327

型号： BCM846SH6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：NPN硅AF晶体管阵列 NPN Silicon AF Transistor Array