BCP55E6327

BCP55E6327图片1
BCP55E6327概述

NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors

Bipolar BJT Transistor


得捷:
TRANS NPN 60V 1A SOT223-4


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


BCP55E6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCP55E6327
型号: BCP55E6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors
替代型号BCP55E6327
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCP55E6327

Infineon 英飞凌

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