BCR108T

BCR108T图片1
BCR108T中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

耗散功率Max 250 mW

封装参数

封装 SC-75

外形尺寸

封装 SC-75

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCR108T
型号: BCR108T
制造商: Infineon 英飞凌
描述:NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor
替代型号BCR108T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCR108T

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BCR108E6327HTSA1

英飞凌

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