BC858BWE6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC858BWE6327概述

SOT-323 PNP 30V 0.1A

Bipolar BJT Transistor PNP 30 V 100 mA 250MHz 250 mW Surface Mount

得捷:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT323-3

Win Source:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323

BC858BWE6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC858BWE6327

型号： BC858BWE6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOT-323 PNP 30V 0.1A

替代型号BC858BWE6327