BPX 81概述
OSRAM Opto Semiconductors
微型封装
得捷:
SENSOR PHOTO 850NM TOP VIEW RAD
立创商城:
光电二极管
欧时:
### 光电晶体管微型封装### 光电晶体管，OSRAM Opto Semiconductors
贸泽:
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR
e络盟:
光电晶体管, 850 nm, 36 °, 90 mW, 2 引脚, Radial Leaded
艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin
Allied Electronics:
Opto BPX 81 36 IR+Visible Light Phototransistor, Through Hole 2-Pin DIP package
BPX 81中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 2
波长 850 nm
视角 36°
峰值波长 850 nm
耗散功率 90 mW
功耗 90 mW
上升时间 6 µs
击穿电压集电极-发射极 32 V
额定功率Max 90 mW
下降时间 6 µs
工作温度Max 80 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 90 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DIP
外形尺寸
长度 2.4 mm
宽度 2.4 mm
高度 3.6 mm
封装 DIP
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 80℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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