OSRAM Opto Semiconductors
微型封装
### 光电晶体管,OSRAM Opto Semiconductors
得捷:
SENSOR PHOTO 850NM TOP VIEW RAD
欧时:
### 光电晶体管微型封装### 光电晶体管,OSRAM Opto Semiconductors
贸泽:
Phototransistors PHOTOTRANSISTOR
艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin
Allied Electronics:
Opto BPX 81-4 36 IR+Visible Light Phototransistor, Through Hole 2-Pin DIP package
通道数 1
针脚数 2
波长 850 nm
视角 36°
峰值波长 850 nm
耗散功率 90 mW
上升时间 6 µs
击穿电压集电极-发射极 32 V
额定功率Max 90 mW
下降时间 8 µs
下降时间Max 8000 ns
上升时间Max 8000 ns
工作温度Max 80 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 90 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DIP
长度 2.4 mm
宽度 1.8 mm
高度 3.6 mm
封装 DIP
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 80℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BPX 81-4 Osram Opto 欧司朗 | 当前型号 | 当前型号 |
BPX 81-3/4 欧司朗 | 功能相似 | BPX 81-4和BPX 81-3/4的区别 |