BLF8G22L-160BV,112参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BLF8G22L-160BV,112概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 160W LDMOS TRANSISTR

RF Mosfet CDFM6

得捷:
TRANSISTOR CDFM6

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 160W LDMOS TRANSISTR

BLF8G22L-160BV,112中文资料参数规格

封装参数

封装 SOT-1120-7

外形尺寸

封装 SOT-1120-7

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF8G22L-160BV,112

型号： BLF8G22L-160BV,112

制造商： NXP 恩智浦

描述：射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 160W LDMOS TRANSISTR