BLP8G10S-45PGJ

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BLP8G10S-45PGJ概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 BLP8G10S-45PG/HSOP4/REEL13//

RF Mosfet LDMOS 700MHz ~ 1GHz 21dB 45W 4-HSOPF


得捷:
TRANS LDMOS 45W 4HSOP


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 BLP8G10S-45PG/HSOP4/REEL13//


BLP8G10S-45PGJ中文资料参数规格
技术参数

频率 700MHz ~ 1GHz

输出功率 45 W

增益 21 dB

额定电压 28 V

封装参数

封装 SOT-1223-1

外形尺寸

封装 SOT-1223-1

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLP8G10S-45PGJ
型号: BLP8G10S-45PGJ
制造商: NXP 恩智浦
描述:射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 BLP8G10S-45PG/HSOP4/REEL13//
替代型号BLP8G10S-45PGJ
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BLP8G10S-45PGJ

NXP 恩智浦

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恩智浦

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