BSZ031NE2LS5ATMA1概述
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
表面贴装型 N 通道 19A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
欧时:
Infineon BSZ031NE2LS5ATMA1
得捷:
MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
立创商城:
N沟道 25V 40A 19A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
BSZ031NE2LS5ATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.1W Ta, 30W Tc
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 40A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1230pF @12VVds
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 30W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON-8-FL
外形尺寸
封装 PG-TSDSON-8-FL
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 and, CPU/GPU VR in notebooks, Single-phase and multiphase POL, High power density voltage regulator, E-fuse, Or-ing
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
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