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BCR108L3图片1

BCR108L3中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

封装 TSLP

外形尺寸

封装 TSLP

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： BCR108L3

制造商： Infineon 英飞凌

描述：NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor