BLL6H1214-500

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BLL6H1214-500中文资料参数规格
技术参数

上升时间 20 ns

下降时间 6 ns

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BLL6H1214-500
型号: BLL6H1214-500
制造商: NXP 恩智浦
描述:LDMOS L波段雷达功率晶体管 LDMOS L-band radar power transistor

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