BUZ102S

BUZ102S图片1
BUZ102S概述

SIPMOS大功率晶体管(N沟道增强型雪崩额定的dv / dt评分) SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated

Features

•N channel

•Enhancement mode

•Avalanche rated

•dv/dtrated

•175 ˚C operating temperature


BUZ102S中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 52A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: BUZ102S
制造商: Infineon 英飞凌
描述:SIPMOS大功率晶体管(N沟道增强型雪崩额定的dv / dt评分) SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated

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