BBY58-06W

BBY58-06W图片1
BBY58-06W概述

BBY58-06W 变容二极管 10V 18.3pF 3.05 SOD-523/SCD80/0603 marking/标记 B6 调谐/低串联电阻/高电容率/高线性度

反向电压VRReverse Voltage| 10V \---|--- 电容值CDiode capacitance| 18.3pF @反向电压VR@Reverse Voltage| 1V 电容值CDiode capacitance| 6pF @反向电压VR@Reverse Voltage| 4V 电容比Capacitance ratio| 3.05 Description & Applications| Silicon Tuning Diode Excellent linearity High Q hyperabrupt tuning diode Low series resistance Designed for low tuning voltage operation for VCO"s in mobile communications equipment For control elements such as TCXOs and VCXOs Very low capacitance spread 描述与应用| 硅调谐二极管 出色的线性度 高Q超突变调谐二极管 低串联电阻 专为低调谐电压VCO的操作在移动通信设备 用于控制元件如温度补偿晶体振荡器和压控晶体振荡器 非常低的电容扩散

BBY58-06W中文资料参数规格
封装参数

封装 SOD-523

外形尺寸

封装 SOD-523

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BBY58-06W
型号: BBY58-06W
制造商: Infineon 英飞凌
描述:BBY58-06W 变容二极管 10V 18.3pF 3.05 SOD-523/SCD80/0603 marking/标记 B6 调谐/低串联电阻/高电容率/高线性度

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台