BSC085N025SG

BSC085N025SG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 35.0 A

通道数 1

漏源极电阻 13.1 Ω

耗散功率 2.8 W

输入电容 1.80 nF

栅电荷 14.0 nC

漏源极电压Vds 25.0 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

上升时间 4 ns

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 52W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSC085N025SG
型号: BSC085N025SG
制造商: Infineon 英飞凌
描述:OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-Transistor
替代型号BSC085N025SG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSC085N025SG

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BSZ060NE2LS

英飞凌

功能相似

BSC085N025SG和BSZ060NE2LS的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台