BC846PN NPN+PNP复合三极管 80V/-80V 100mA/-100mA 200~450 SOT-363 标记10 用于开关/数字电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 80V/-80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 65V/-65V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/-100mA 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 200~450 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 250mW Description & Applications| Features • NPN/PNP Silicon AF Transistor Arrays • For AF input stage and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Two galvanic internal isolated NPN/PNP transistor in one package • Pb-free RoHS compliant package1 • Qualified according AEC Q101 描述与应用| 特点 •NPN / PNP硅AF晶体管阵列 •对于AF输入级和驱动器应用 •高电流增益 •低集电极 - 发射极饱和电压 •两个(电流)的内部分离NPN/ PNP晶体管在一个包 •无铅(符合RoHS)包1) •符合AEC Q101
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC846PN Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5316DW1T1G 安森美 | 功能相似 | BC846PN和MUN5316DW1T1G的区别 |
PUMD6,115 恩智浦 | 功能相似 | BC846PN和PUMD6,115的区别 |