BCR103F

BCR103F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

封装 TSFP

外形尺寸

封装 TSFP

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: BCR103F
制造商: Infineon 英飞凌
描述:NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor
替代型号BCR103F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCR103F

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

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完全替代

BCR103F和BCR129F的区别

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