BCR142W参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCR142W概述

NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit

• Built in bias resistor R1=22kΩ, R2=47kΩ

• Pb-free RoHS compliant package1

• Qualified according AEC Q101

BCR142W中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.25 W

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 70

最大电流放大倍数hFE 70

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.90 mm

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCR142W

型号： BCR142W

制造商： Infineon 英飞凌

描述：NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor

替代型号BCR142W