BCR112F

BCR112F图片1
BCR112F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

耗散功率Max 250 mW

封装参数

封装 PG-TSFP-3

外形尺寸

封装 PG-TSFP-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCR112F
型号: BCR112F
制造商: Infineon 英飞凌
描述:NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor
替代型号BCR112F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCR112F

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BCR135F

英飞凌

完全替代

BCR112F和BCR135F的区别

BCR141F

英飞凌

完全替代

BCR112F和BCR141F的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台