BCR135T参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

BCR135T中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

耗散功率Max 250 mW

封装参数

封装 SC-75

外形尺寸

封装 SC-75

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BCR135T

型号： BCR135T

制造商： Infineon 英飞凌

描述：NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor

替代型号BCR135T

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BCR135T Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
BCR133F 英飞凌	类似代替	BCR135T和BCR133F的区别
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