BDP951

BDP951中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 3A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BDP951
型号: BDP951
制造商: Infineon 英飞凌
描述:NPN硅自动对焦功率晶体管 NPN Silicon AF Power Transistor
替代型号BDP951
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BDP951

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台