BCR112T

BCR112T中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

耗散功率Max 250 mW

封装参数

封装 SC-75

外形尺寸

封装 SC-75

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: BCR112T
制造商: Infineon 英飞凌
描述:NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor

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