BCW67B

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BCW67B中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.8A

耗散功率Max 330 mW

封装参数

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCW67B
型号: BCW67B
制造商: Infineon 英飞凌
描述:PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
替代型号BCW67B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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