BCR191W

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BCR191W概述

BCR191W 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 50 0.25W/250mW SOT-323/SC-70 标记WO 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 22KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 22KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 50 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.25W/250mW Description & Applications| Feature • PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor R1= 22kΩ , R2= 22kΩ • For 6-PIN packages: two galvanic internal isolated transistors with good matching in one package 描述与应用| 特点 •PNP硅数字晶体管 •开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路 •内置偏置电阻(R1=22KΩ,R2=22KΩ) •对于6-PIN封装:2(电流)的内部具有良好的匹配隔离晶体管在一个封装中

BCR191W中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.25 W

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 120

最大电流放大倍数hFE 50

封装参数

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.90 mm

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BCR191W
型号: BCR191W
制造商: Infineon 英飞凌
描述:BCR191W 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 50 0.25W/250mW SOT-323/SC-70 标记WO 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

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