BCR112W

BCR112W中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.25 W

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 20

最大电流放大倍数hFE 20

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.90 mm

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BCR112W
型号: BCR112W
制造商: Infineon 英飞凌
描述:NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor
替代型号BCR112W
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCR112W

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BCR135W

英飞凌

完全替代

BCR112W和BCR135W的区别

BCR141W

英飞凌

类似代替

BCR112W和BCR141W的区别

PUMB11,115

安世

功能相似

BCR112W和PUMB11,115的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台