BCR192W

BCR192W图片1
BCR192W中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.25 W

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 70

最大电流放大倍数hFE 70

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.90 mm

封装 SOT-323

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: BCR192W
制造商: Infineon 英飞凌
描述:PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor

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