BG3130

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BG3130概述

BG3130 复合场效应管 8 25mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 KA VHF和UHF谐调

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 8V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 6~15V/6~15V 最大漏极电流IdDrain Current| 25mA 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 0.7/0.6 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| DUAL N-Channel MOSFET Tetrode • Two gain controlled input stage for UHF and VHF -tuners e.g. NTSC, PAL • Two AGC amplifiers in one single package • Integrated gate protection diodes • High AGC-range, low noise figure, high gain • Improved cross modulation at gain reduction 描述与应用| 双N沟道MOSFET的四极管 •两个UHF和VHF调谐器,例如增益控制输入级(NTSC,PAL) •两个AGC放大器在一个单一封装 •集成的栅极保护二极管 •高AGC范围,低噪声系数,高增益 •改进的交叉调制增益降低

BG3130中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BG3130
型号: BG3130
制造商: Infineon 英飞凌
描述:BG3130 复合场效应管 8 25mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 KA VHF和UHF谐调
替代型号BG3130
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