BFR181 NPN三极管 20V 20mA 8Ghz 50~200 SOT-23/SC-59 marking/标记 RF 低噪声,高增益宽带放大器
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 12V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 20mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 8Ghz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 50~200 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 175mW/0.175W Description & Applications| NPN Silicon RF Transistor For low-noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA fT = 8 GHz F = 1.45dB at 900 MHz 描述与应用| NPN硅RF晶体管 低噪声,高增益宽带放大器集电极电流从0.5mA到12mA fT = 8 GHz F = 1.45 dB at 900 MHz
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BFR181 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
2SC3585 日本电气 | 功能相似 | BFR181和2SC3585的区别 |
2SC2351 日本电气 | 功能相似 | BFR181和2SC2351的区别 |
PMBTH10 恩智浦 | 功能相似 | BFR181和PMBTH10的区别 |