BFG196

BFG196图片1
BFG196概述

NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor

• For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunication systems up to 1.5 GHz at collector currents from 20 mA to 80 mA

• Power amplifier for DECT and PCN Systems

• fT = 7.5 GHz

     F = 1.5 dB at 900 GHz


Win Source:
TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223


BFG196中文资料参数规格
技术参数

耗散功率Max 800 mW

封装参数

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BFG196
型号: BFG196
制造商: Infineon 英飞凌
描述:NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
替代型号BFG196
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