BG3230

BG3230图片1
BG3230中文资料参数规格
技术参数

频率 800 MHz

额定电流 25 mA

增益 24 dB

额定电压 8 V

封装参数

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BG3230
制造商: Infineon 英飞凌
描述:双N沟道MOSFET四极管 DUAL N-Channel MOSFET Tetrode

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