BZB84-B12

BZB84-B12图片1
BZB84-B12中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300 mW

稳压值 12 V

正向电压Max 900mV @10mA

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BZB84-B12
型号: BZB84-B12
制造商: NXP 恩智浦
描述:双齐纳二极管 Dual Zener diodes
替代型号BZB84-B12
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

当前型号

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恩智浦

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