BSS119

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BSS119概述

BSS119 N沟道MOSFET 1.7A SOT-23/SC-59 marking/标记 SH 快速开关/逻辑电平兼容

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.7A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 3.4Ω/Ohm @1.7A,10V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1.3-2.3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| SIPMOS Small-Signal-Transistor • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated 描述与应用| SIPMOS小信号晶体管 •N沟道 •增强模式 •逻辑电平 •dv /dt的额定


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23


BSS119中文资料参数规格
技术参数

上升时间 3.1 ns

输入电容Ciss 60pF @25VVds

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BSS119
制造商: Infineon 英飞凌
描述:BSS119 N沟道MOSFET 1.7A SOT-23/SC-59 marking/标记 SH 快速开关/逻辑电平兼容

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