BTS110

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BTS110中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 10.0 A

耗散功率 40 W

输入电容 600 pF

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 600pF @25VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BTS110
型号: BTS110
制造商: Infineon 英飞凌
描述:TEMPFET (N沟道增强型温度传感器晶闸管特性) TEMPFETN-channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic
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