BZB784-C12

BZB784-C12图片1
BZB784-C12概述

BZB784-C12 双管共阳极稳压二极管 12V 350mW/0.35W SOT323-12V marking/标记 9JT

• Total power dissipation: max. 350 mW • Approx. 5% VZ tolerance • General regulation functions • ESD and surge protection. • Low-power voltage regulator diodes in a small SOT323SC-70 package." •Common Anode Zener diode


贸泽:
NXP Semiconductors


Win Source:
DIODE ZENER ARRAY 12V SOT323


BZB784-C12中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 350 mW

稳压值 12 V

正向电压Max 900mV @10mA

额定功率Max 180 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BZB784-C12
型号: BZB784-C12
制造商: NXP 恩智浦
描述:BZB784-C12 双管共阳极稳压二极管 12V 350mW/0.35W SOT323-12V marking/标记 9JT
替代型号BZB784-C12
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