BSV236SP

BSV236SP P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 6ohm SOT-363 marking/标记 X2 额定雪崩

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 6Ω @-200mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.5--3.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1W Description & Applications| OptiMOS -P Small-Signal-Transistor P-Channel Enhancement mode Super Logic Level 2.5 V rated 150°C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated 描述与应用| OptiMOS-P小信号晶体管 P沟道 增强模式 超级逻辑电平（2.5 V额定） 150°C的工作温度 额定雪崩 dv / dt的额定