BUZ325

BUZ325中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 400 V

连续漏极电流Ids 12.5A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-218

外形尺寸

封装 TO-218

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BUZ325
型号: BUZ325
制造商: Infineon 英飞凌
描述:SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
替代型号BUZ325
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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