P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Summary of Features:
R on x Q gd
damping network
Benefits:
额定功率 50 W
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 2200pF @15VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 PG-TDSON-8
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 E-fuse, CPU/GPU VR in notebooks, High power density voltage regulator, Or-ing, Single-phase and multiphase POL, and
RoHS标准
含铅标准 Lead Free