BSC0502NSIATMA1概述
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
表面贴装型 N 通道 26A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），43W（Tc） PG-TDSON-8-6
欧时:
Infineon MOSFET BSC0502NSIATMA1
得捷:
MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
贸泽:
MOSFET LV POWER MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
BSC0502NSIATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta, 43W Tc
输入电容 1200 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 26A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 1600pF @15VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 43W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 and, E-fuse, Single-phase and multiphase POL, High power density voltage regulator, Or-ing, CPU/GPU VR in notebooks
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSC0502NSIATMA1引脚图与封装图 
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