BQ2201SNTRG4

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BQ2201SNTRG4概述

存储器控制器 NONVOLATILE SRAM Cntrlr

General Description

The CMOS bq2201 SRAM Nonvolatile Controller Unit provides all necessary functions for converting a standard CMOS SRAM into nonvolatile read/write memory.

A precision comparator monitors the 5V VCCinput for an out-of-tolerance condition. When out of tolerance is detected, a conditioned chip-enable output is forced inactive to write protect any standard CMOS SRAM.

Features

➤Power monitoring and switching for 3-volt battery-backup applications

➤Write-protect control

➤3-volt primary cell inputs

➤Less than 10ns chip-enable propagation delay

➤5% or 10% supply operation

BQ2201SNTRG4中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BQ2201SNTRG4
型号: BQ2201SNTRG4
制造商: TI 德州仪器
描述:存储器控制器 NONVOLATILE SRAM Cntrlr
替代型号BQ2201SNTRG4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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