BFR182WE6327

BFR182WE6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 120 mA

输入电容 0.8 pF

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

材质 Silicon

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BFR182WE6327
型号: BFR182WE6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:NPN Silicon RF Transistor

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