BLF245B参数规格_中文资料_数据手册PDF

BLF245B概述

甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor

DESCRIPTION

Dual push-pull silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor designed for large signal amplifier applications in the VHF frequency range.

FEATURES

• High power gain

• Easy power control

• Good thermal stability

• Gold metallization ensures excellent reliability.

BLF245B中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 28.0 V

额定电压DC 65.0 V

额定电流 4.50 A

漏源极电压Vds 65.0 V

漏源击穿电压 65.0V min

连续漏极电流Ids 4.50 A

输出功率 30.0 W

增益 14.0 dB

封装参数

安装方式 Flange

封装 SOT279A

外形尺寸

封装 SOT279A

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BLF245B

型号： BLF245B

制造商： NXP 恩智浦

描述：甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor

立即咨询

替代型号BLF245B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BLF245B NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
DU2820S M/A-Com	类似代替	BLF245B和DU2820S的区别
BLF245 恩智浦	类似代替	BLF245B和BLF245的区别
MRF166C M/A-Com	功能相似	BLF245B和MRF166C的区别