BC640-16G

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BC640-16G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 800 mW

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92

外形尺寸

封装 TO-92

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BC640-16G
型号: BC640-16G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:高电流晶体管 High Current Transistors
替代型号BC640-16G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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