BCR133SH6327

BCR133SH6327中文资料参数规格
技术参数

频率 130 MHz

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BCR133SH6327
描述:NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor

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